PI 聚酰亞胺膜在制備石墨化爐中的石墨化過(guò)程演變

PI 聚酰亞胺膜在制備實(shí)驗(yàn)中采用不同商家生產(chǎn)的不同程度某高聚物(PI 聚酰亞胺)薄膜 進(jìn)行壓制碳化、高溫石墨化爐石墨化處理后得到不同的PIZ墨膜。實(shí)驗(yàn)中采用偏光顯微鏡、 X?射線衍射、掃描電鏡等測(cè)試手段分析了不同PI石墨膜在高溫石墨化爐熱處理過(guò)程中的 結(jié)構(gòu)演變。研究結(jié)果表明，杜邦PI膜(5()卩m)經(jīng)3000℃高溫石墨化爐石墨化后能形成三 維有序堆積的石墨層狀結(jié)構(gòu)，其層片堆積高度達(dá)到65.94nm,石墨片層間距為 0.336nm,石墨化爐石墨化度可高達(dá)93%,室溫面向電阻率為0.48pm,實(shí)測(cè)面向熱導(dǎo)率 能夠達(dá)到1000(W/(m.K)。

其次隨著熱姓理溫度的提高，PI膜微晶的結(jié)構(gòu)從無(wú)定 型向有序型轉(zhuǎn)變，石用層片取向和結(jié)晶度程度有所提高，石墨晶體逐漸完善。 此外，石墨晶體生長(zhǎng)隨PI膜厚度的増大變的越發(fā)困難，層片擇優(yōu)取向程度也隨 之降低。

國(guó)產(chǎn)的PI膜經(jīng)過(guò)3000℃石墨化爐高溫石墨化處理后形成無(wú)定型結(jié)構(gòu)碳，其石 墨微晶尺寸較小。